IRFR9120NTRLPBF vs IRFR9120NTRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR9120NTRLPBF द्वारा Infineon और IRFR9120NTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR9120NTRLPBF | IRFR9120NTRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Transistor Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -6.6 A (Tc) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2 V to -4 V | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| On-Resistance (RDS(on)) | 480 mOhm max @ VGS = -10 V | — |
| Gate Charge (Qg) | 18 nC (typ) | — |
| Power Dissipation (PD) | 40 W (Tc) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (Tj) | — |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Technology | IR MOSFET (planar) | HEXFET fifth-generation IR MOSFET |
| MSL स्तर | 1 | 1 (unlimited floor life) |
| RoHS स्थिति | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -6.6 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=-10V | — | 480 milliohm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 18 nC (typical) |
| Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 40 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | — | -55C to +175C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC] |
| Lead Finish / Plating | — | Pb-free (PBF suffix), Matte Tin |
| Moisture Sensitivity | — | MSL1 per JEDEC J-STD-020 |