IRFZ24NPBF vs IRFZ34NPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFZ24NPBF بواسطة Infineon و IRFZ34NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFZ24NPBF IRFZ34NPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ± 20 V —
RDS(on) at VGS=10V 70 mOhm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 45 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C —
العلبة TO-220AB (through hole) TO-220AB (3-pin + tab, through-hole)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Technology HEXFET planar cell HEXFET (Planar DMOS, 5th generation)
Switching Frequency Range Optimized for < 100 kHz —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Qualification JEDEC standard JEDEC standard
Channel Mode Enhancement —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C — 29 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 40 mOhm
Gate Charge (Q_g) typ — 22.7 nC
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Input Capacitance (C_iss) typ — [DATA_NEEDED: input capacitance]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +175 C
Maximum Junction Temperature — 175 C
Lead-Free Status — Yes (Pb-free, RoHS compliant)
Configuration — Single N-Channel, 3-pin (3+tab)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر