IRFZ24NPBF vs IRFZ34NPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFZ24NPBF מאת Infineon ו IRFZ34NPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFZ24NPBF IRFZ34NPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ± 20 V —
RDS(on) at VGS=10V 70 mOhm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 45 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
מארז TO-220AB (through hole) TO-220AB (3-pin + tab, through-hole)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
Technology HEXFET planar cell HEXFET (Planar DMOS, 5th generation)
Switching Frequency Range Optimized for < 100 kHz —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Qualification JEDEC standard JEDEC standard
Channel Mode Enhancement —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C — 29 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 40 mOhm
Gate Charge (Q_g) typ — 22.7 nC
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Input Capacitance (C_iss) typ — [DATA_NEEDED: input capacitance]
טווח טמפרטורת פעולה — -55 C to +175 C
Maximum Junction Temperature — 175 C
Lead-Free Status — Yes (Pb-free, RoHS compliant)
Configuration — Single N-Channel, 3-pin (3+tab)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר