IRFZ24NPBF vs IRFZ34NPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFZ24NPBF توسط Infineon و IRFZ34NPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFZ24NPBF IRFZ34NPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ± 20 V —
RDS(on) at VGS=10V 70 mOhm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 45 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی TO-220AB (through hole) TO-220AB (3-pin + tab, through-hole)
نوع نصب Through Hole Through Hole
Technology HEXFET planar cell HEXFET (Planar DMOS, 5th generation)
Switching Frequency Range Optimized for < 100 kHz —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Qualification JEDEC standard JEDEC standard
Channel Mode Enhancement —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C — 29 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 40 mOhm
Gate Charge (Q_g) typ — 22.7 nC
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Input Capacitance (C_iss) typ — [DATA_NEEDED: input capacitance]
محدوده دمای کاری — -55 C to +175 C
Maximum Junction Temperature — 175 C
Lead-Free Status — Yes (Pb-free, RoHS compliant)
Configuration — Single N-Channel, 3-pin (3+tab)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت