IRFZ44NPBF vs FDP030N06 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFZ44NPBF بواسطة Infineon و FDP030N06 بواسطة onsemi. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFZ44NPBF FDP030N06
العلامة التجارية Infineon onsemi
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 17.5 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 94 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 62 C/W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C —
العلبة TO-220AB (3-pin + tab) TO-220-3 (3+Tab)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (Advanced Process) PowerTrench (Trench)
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
حالة RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Drain to Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 120 A (Tc)
Continuous Drain Current (datasheet rating) — 193 A (Tc, datasheet title rating)
RDS(on) Max @ Id, Vgs — 3.2 mOhm
RDS(on) Typ — 2.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 231 W (Tc)
Gate Drive Type — Standard level gate drive
Switching Speed — Fast
Gate Input Resistance — Low gate input resistance (low gate charge)
Avalanche Test — 100% avalanche tested
Packing — Tube
Typical Applications — Power supply, switching applications

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر