IRFZ44NPBF vs FDP030N06 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFZ44NPBF מאת Infineon ו FDP030N06 מאת onsemi. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFZ44NPBF FDP030N06
מותג Infineon onsemi
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 17.5 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 94 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 62 C/W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
מארז TO-220AB (3-pin + tab) TO-220-3 (3+Tab)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (Advanced Process) PowerTrench (Trench)
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
סטטוס RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Drain to Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 120 A (Tc)
Continuous Drain Current (datasheet rating) — 193 A (Tc, datasheet title rating)
RDS(on) Max @ Id, Vgs — 3.2 mOhm
RDS(on) Typ — 2.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 231 W (Tc)
Gate Drive Type — Standard level gate drive
Switching Speed — Fast
Gate Input Resistance — Low gate input resistance (low gate charge)
Avalanche Test — 100% avalanche tested
Packing — Tube
Typical Applications — Power supply, switching applications

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר