IRFZ44NPBF vs FDP030N06 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFZ44NPBF توسط Infineon و FDP030N06 توسط onsemi. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFZ44NPBF FDP030N06
برند Infineon onsemi
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 17.5 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 94 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 62 C/W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی TO-220AB (3-pin + tab) TO-220-3 (3+Tab)
نوع نصب Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (Advanced Process) PowerTrench (Trench)
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
وضعیت RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Drain to Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 120 A (Tc)
Continuous Drain Current (datasheet rating) — 193 A (Tc, datasheet title rating)
RDS(on) Max @ Id, Vgs — 3.2 mOhm
RDS(on) Typ — 2.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 231 W (Tc)
Gate Drive Type — Standard level gate drive
Switching Speed — Fast
Gate Input Resistance — Low gate input resistance (low gate charge)
Avalanche Test — 100% avalanche tested
Packing — Tube
Typical Applications — Power supply, switching applications

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت