IRFZ44NPBF vs FDP030N06 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFZ44NPBF tarafından Infineon ve FDP030N06 tarafından onsemiAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFZ44NPBF FDP030N06
Marka Infineon onsemi
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 17.5 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 94 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 62 C/W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket TO-220AB (3-pin + tab) TO-220-3 (3+Tab)
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (Advanced Process) PowerTrench (Trench)
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
RoHS Durumu Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Drain to Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 120 A (Tc)
Continuous Drain Current (datasheet rating) — 193 A (Tc, datasheet title rating)
RDS(on) Max @ Id, Vgs — 3.2 mOhm
RDS(on) Typ — 2.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 231 W (Tc)
Gate Drive Type — Standard level gate drive
Switching Speed — Fast
Gate Input Resistance — Low gate input resistance (low gate charge)
Avalanche Test — 100% avalanche tested
Packing — Tube
Typical Applications — Power supply, switching applications

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin