IRFZ44NSTRLPBF vs IRFZ44NPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFZ44NSTRLPBF بواسطة Infineon و IRFZ44NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFZ44NSTRLPBF | IRFZ44NPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 49 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 17.5 mOhm at VGS=10V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC | 42 nC |
| Power Dissipation (TC) | 94 W | — |
| Power Dissipation (TA) | 3.8 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | — |
| العلبة | D2PAK (TO-263) | TO-220AB (3-pin + tab) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Through Hole |
| Technology | HEXFET | HEXFET (Advanced Process) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free (PBF suffix) | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 49 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 17.5 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 94 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | 1.0 C/W |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) | — | 62 C/W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +175C |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS rating] |