IRFZ44NSTRLPBF vs IRFZ44NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFZ44NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFZ44NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 49 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 17.5 mOhm at VGS=10V —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC 42 nC
Power Dissipation (TC) 94 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
پیکیج D2PAK (TO-263) TO-220AB (3-pin + tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET HEXFET (Advanced Process)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 17.5 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 94 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 62 C/W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں