IRFZ48NSTRLPBF vs IRFR2405TRLPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFZ48NSTRLPBF بواسطة Infineon و IRFR2405TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFZ48NSTRLPBF IRFR2405TRLPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 200 A (typical, per datasheet family)
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C —
العلبة D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) Tape & Reel (TR)
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
حالة RoHS Compliant —
Technology Family HEXFET advanced process technology —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Technology — HEXFET (IR MOSFET, 7th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 56 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 16 mOhm
Gate Charge (Qg) typical — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 110 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +175 C (junction)
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized design)
Lead-Free / RoHS — Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر