IRFZ48NSTRLPBF vs IRFR2405TRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFZ48NSTRLPBF מאת Infineon ו IRFR2405TRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFZ48NSTRLPBF IRFR2405TRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 200 A (typical, per datasheet family)
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
מארז D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) Tape & Reel (TR)
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
סטטוס RoHS Compliant —
Technology Family HEXFET advanced process technology —
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Technology — HEXFET (IR MOSFET, 7th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 56 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 16 mOhm
Gate Charge (Qg) typical — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 110 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
טווח טמפרטורת פעולה — -55 C to +175 C (junction)
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized design)
Lead-Free / RoHS — Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר