IRFZ48NSTRLPBF vs IRFR2405TRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFZ48NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFR2405TRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFZ48NSTRLPBF IRFR2405TRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 200 A (typical, per datasheet family)
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) Tape & Reel (TR)
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Technology Family HEXFET advanced process technology —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Technology — HEXFET (IR MOSFET, 7th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 56 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 16 mOhm
Gate Charge (Qg) typical — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 110 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C (junction)
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized design)
Lead-Free / RoHS — Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں