IRL2910STRLPBF vs IRFB7545PBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRL2910STRLPBF بواسطة Infineon و IRFB7545PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRL2910STRLPBF | IRFB7545PBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (Infineon/IR) | StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | 55 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 380 A |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V | 26 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | Logic-level (1V-2V) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 93.3 nC | — |
| Power Dissipation @ TA=25C | 3.8 W | — |
| Power Dissipation @ TC=25C | 200 W | — |
| العلبة | D2PAK (TO-263) Surface Mount | TO-220AB (Through-Hole) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Through Hole (THT) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (TJ) | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| خالٍ من الهالوجين | Compliant (per GlobalSpec) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRFB7545PBF |
| Polarity | — | N-Channel |
| VDS (Drain-Source Voltage) max | — | 60 V |
| VGS (Gate-Source Voltage) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 5.9 mOhm |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 95 A |
| Single-Pulse Avalanche Current (IAS) | — | 57 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 125 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | 1.0 C/W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Lead-Free, PBF suffix) |
| مستوى MSL | — | N/A (Through-Hole) |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |