IRL2910STRLPBF vs IRFB7545PBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRL2910STRLPBF tarafından Infineon ve IRFB7545PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRL2910STRLPBF | IRFB7545PBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (Infineon/IR) | StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | 55 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 380 A |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V | 26 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | Logic-level (1V-2V) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 93.3 nC | — |
| Power Dissipation @ TA=25C | 3.8 W | — |
| Power Dissipation @ TC=25C | 200 W | — |
| Paket | D2PAK (TO-263) Surface Mount | TO-220AB (Through-Hole) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Through Hole (THT) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (TJ) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Klorürsüz | Compliant (per GlobalSpec) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRFB7545PBF |
| Polarity | — | N-Channel |
| VDS (Drain-Source Voltage) max | — | 60 V |
| VGS (Gate-Source Voltage) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 5.9 mOhm |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 95 A |
| Single-Pulse Avalanche Current (IAS) | — | 57 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 125 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | 1.0 C/W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Lead-Free, PBF suffix) |
| MSL Seviyesi | — | N/A (Through-Hole) |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |