IRL2910STRLPBF vs IRFB7545PBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRL2910STRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFB7545PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRL2910STRLPBF IRFB7545PBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Infineon/IR) StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 55 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 380 A
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V 26 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ Logic-level (1V-2V) —
Total Gate Charge (Qg) 93.3 nC —
Power Dissipation @ TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation @ TC=25C 200 W —
پیکیج D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-220AB (Through-Hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole (THT)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (TJ) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
ہیلوجن فری Compliant (per GlobalSpec) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFB7545PBF
Polarity — N-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) max — 60 V
VGS (Gate-Source Voltage) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=10V — 5.9 mOhm
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 95 A
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) — 57 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-Free, PBF suffix)
MSL لیول — N/A (Through-Hole)
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Avalanche Energy Rated — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں