IRL2910STRRPBF vs IRL2910STRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRL2910STRRPBF بواسطة Infineon و IRL2910STRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRL2910STRRPBF | IRL2910STRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | IR MOSFET™ (Planar HEXFET) | HEXFET (Infineon/IR) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 55 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10 V | 26 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 200 W | — |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +175 °C | — |
| العلبة | D2PAK (TO-263) Surface Mount | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Terminal Finish | Matte Tin over Nickel | — |
| Lead-Free / RoHS Status | Yes (PBF suffix) | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | — | 55 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V | — | 26 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | Logic-level (1V-2V) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 93.3 nC |
| Power Dissipation @ TA=25C | — | 3.8 W |
| Power Dissipation @ TC=25C | — | 200 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C (TJ) |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | — | Compliant (per GlobalSpec) |