IRL2910STRRPBF vs IRL2910STRLPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRL2910STRRPBF מאת Infineon ו IRL2910STRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRL2910STRRPBF | IRL2910STRLPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | IR MOSFET™ (Planar HEXFET) | HEXFET (Infineon/IR) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 55 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10 V | 26 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 200 W | — |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 °C to +175 °C | — |
| מארז | D2PAK (TO-263) Surface Mount | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Terminal Finish | Matte Tin over Nickel | — |
| Lead-Free / RoHS Status | Yes (PBF suffix) | — |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | — | 55 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V | — | 26 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | Logic-level (1V-2V) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 93.3 nC |
| Power Dissipation @ TA=25C | — | 3.8 W |
| Power Dissipation @ TC=25C | — | 200 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +175C (TJ) |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| נטול הלוגנים | — | Compliant (per GlobalSpec) |