IRL2910STRRPBF vs IRL2910STRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRL2910STRRPBF بذریعہ Infineon اور IRL2910STRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRL2910STRRPBF IRL2910STRRPBF - 100V, 55A N-Ch MOSFET | Infineon | D2PAK

IRL2910STRRPBF - 100V, 55A N-Ch MOSFET | Infineon | D2PAK

IRL2910STRRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRL2910STRRPBF IRL2910STRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology IR MOSFET™ (Planar HEXFET) HEXFET (Infineon/IR)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 55 A —
RDS(on) Max at VGS=10 V 26 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic-level) —
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Power Dissipation (Tc) 200 W —
Configuration Single with built-in body diode —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج D2PAK (TO-263) Surface Mount D2PAK (TO-263) Surface Mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Terminal Finish Matte Tin over Nickel —
Lead-Free / RoHS Status Yes (PBF suffix) —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 55 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V — 26 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — Logic-level (1V-2V)
Total Gate Charge (Qg) — 93.3 nC
Power Dissipation @ TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation @ TC=25C — 200 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C (TJ)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
ہیلوجن فری — Compliant (per GlobalSpec)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں