IRLL024ZTRPBF vs IRF8734TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLL024ZTRPBF بواسطة Infineon و IRF8734TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRLL024ZTRPBF | IRF8734TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (trench-gate) | StrongIRFET™ (HEXFET) |
| FET Type | N-Channel enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 55 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±16 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 5 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 60 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO) | — |
| Total Gate Charge (Qg) typical | 7 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 1 W | — |
| Operating Junction Temperature (TJ) | -55 °C to +150 °C | — |
| العلبة | SOT-223 (TO-261-4) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 (unlimited floor life) | [DATA_NEEDED: MSL rating per J-STD-020] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (PBF suffix) |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 21 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.5 mOhm |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 20 nC |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| العلبة / الحالة | — | 8-SOIC (SO-8) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (junction) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Avalanche Energy Rating | — | Fully characterized avalanche voltage |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Lead-free (PBF suffix) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |