IRLL024ZTRPBF vs IRF8734TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLL024ZTRPBF توسط Infineon و IRF8734TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLL024ZTRPBF IRF8734TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Technology HEXFET Power MOSFET (trench-gate) StrongIRFET™ (HEXFET)
FET Type N-Channel enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) max 55 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 60 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO) —
Total Gate Charge (Qg) typical 7 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 1 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -55 °C to +150 °C —
بسته‌بندی SOT-223 (TO-261-4) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (unlimited floor life) [DATA_NEEDED: MSL rating per J-STD-020]
وضعیت RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.5 mOhm
Gate Charge (Qg) typ — 20 nC
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
بسته‌بندی / کیس — 8-SOIC (SO-8)
محدوده دمای کاری — -55C to +150C (junction)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Avalanche Energy Rating — Fully characterized avalanche voltage
Lead-Free / Halogen-Free — Lead-free (PBF suffix)
Packaging — Tape & Reel (TR)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت