IRLL024ZTRPBF vs IRF8734TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLL024ZTRPBF tarafından Infineon ve IRF8734TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLL024ZTRPBF IRF8734TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Technology HEXFET Power MOSFET (trench-gate) StrongIRFET™ (HEXFET)
FET Type N-Channel enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) max 55 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 60 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO) —
Total Gate Charge (Qg) typical 7 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 1 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -55 °C to +150 °C —
Paket SOT-223 (TO-261-4) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (unlimited floor life) [DATA_NEEDED: MSL rating per J-STD-020]
RoHS Durumu Compliant Compliant (PBF suffix)
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.5 mOhm
Gate Charge (Qg) typ — 20 nC
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Paket / Kas — 8-SOIC (SO-8)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Avalanche Energy Rating — Fully characterized avalanche voltage
Lead-Free / Halogen-Free — Lead-free (PBF suffix)
Packaging — Tape & Reel (TR)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin