IRLR8726TRPBF vs IRLR8726TRLPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLR8726TRPBF بواسطة Infineon و IRLR8726TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRLR8726TRPBF IRLR8726TRLPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRLR8726TRPBF —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET) —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 30 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 86 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R_DS(on) max 5.8 mΩ at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) min/max] —
Gate Charge Q_g (typ.) 15 nC —
Power Dissipation P_D 75 W at T_C —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C -55C to +175C
العلبة TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الدبابيس 3 (Gate, Drain, Source) —
حالة RoHS Compliant —
خالٍ من الهالوجين Yes —
مستوى MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020, inferred from PBF suffix and DPAK packaging)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 86 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 5.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — 15 nC
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 75 W
Technology Family — StrongIRFET
RoHS Compliance — ROHS3 Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر