IRLR8726TRPBF vs IRLR8726TRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRLR8726TRPBF メーカー: Infineon および IRLR8726TRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRLR8726TRPBF IRLR8726TRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.32 $0.36
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRLR8726TRPBF —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET) —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 30 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 86 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R_DS(on) max 5.8 mΩ at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) min/max] —
Gate Charge Q_g (typ.) 15 nC —
Power Dissipation P_D 75 W at T_C —
動作接合温度 -55C to +175C -55C to +175C
パッケージ TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS ステータス Compliant —
ハロゲンフリー Yes —
MSLレベル 1 1 (per JEDEC J-STD-020, inferred from PBF suffix and DPAK packaging)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 86 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 5.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — 15 nC
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 75 W
Technology Family — StrongIRFET
RoHS Compliance — ROHS3 Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

データシート&リソース

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