IRLR8726TRPBF vs IRLR8726TRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLR8726TRPBF מאת Infineon ו IRLR8726TRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRLR8726TRPBF IRLR8726TRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRLR8726TRPBF —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET) —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 30 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 86 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R_DS(on) max 5.8 mΩ at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) min/max] —
Gate Charge Q_g (typ.) 15 nC —
Power Dissipation P_D 75 W at T_C —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C -55C to +175C
מארז TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source) —
סטטוס RoHS Compliant —
נטול הלוגנים Yes —
רמת MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020, inferred from PBF suffix and DPAK packaging)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 86 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 5.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — 15 nC
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 75 W
Technology Family — StrongIRFET
RoHS Compliance — ROHS3 Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר