IRS2101STRPBF vs IR2104SPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2101STRPBF بواسطة Infineon و IR2104SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2101STRPBF IR2104SPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type High-Side, Low-Side (Half-Bridge) —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
عدد المخارج 2-OUT —
تكوين الخرج Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.6 A —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
VS Transient Range -5 V to +600 V (logic operational) —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) Yes (VCC UVLO)
Propagation Delay Matching Matched both channels —
dV/dt Immunity Yes (latch-immune CMOS) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة 8-SOIC (SOIC-8) 8-pin SOIC
نوع التركيب Surface Mount —
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
حالة RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant (PBF suffix indicates lead-free)
الوظيفة — Half-bridge gate driver
Configuration — High and Low Side
Input Type — Logic (non-inverting)
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source Current — 130 mA typical
Output Sink Current — 270 mA typical
Propagation Delay — 680 ns typical
زمن الصعود — 160 ns typical
زمن السقوط — 60 ns typical
Deadtime — Internally set
Cross-Conduction Prevention — Yes
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر