IRS2153DPBF vs IRS2153DSPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2153DPBF بواسطة Infineon و IRS2153DSPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2153DPBF IRS2153DSPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة NRND نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
البنية الطوبولوجية Self-Oscillating (RC-timed) —
عدد المخارج 2 (High-Side, Low-Side) 2 (HO, LO)
Offset Voltage (High-Side) 600 V (max) —
Output Current (Source, typ) 0.18 A —
Output Current (Sink, typ) 0.26 A —
Internal Oscillator Frequency [DATA_NEEDED: oscillator frequency range] —
Dead Time (typ) 0.5 us —
Half-Bridge Driver Propagation (typ) 1.1 us —
Bootstrap FET Integrated —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range] 10 V to 20 V
Supply Current (VCC, typ) 0.5 mA —
Shutdown Input Yes (programmable) —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40C to +125C —
العلبة 8-Pin PDIP (through-hole) 8-SOIC (SOIC-8)
مستوى MSL MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note) —
Qualification Level Industrial —
حالة RoHS Compliant (Pb-free suffix) —
الوظيفة — Half-bridge gate driver with RC input oscillator
Configuration — High-side + low-side driver, half-bridge
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 600 V
VBS High-side Supply Voltage — VCC + 0.3 V (typical bootstrap)
Gate Drive Source Current (IO+) — 130 mA typical
Gate Drive Sink Current (IO-) — 270 mA typical
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns)
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns)
Internal Deadtime — ~1.2 us
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Input Type — RC-input oscillator (no external PWM required)
Logic Polarity — Inverting / Non-inverting per channel
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
نوع التركيب — Surface Mount

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر