IRS2153DPBF vs IRS2153DSPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRS2153DPBF بذریعہ Infineon اور IRS2153DSPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRS2153DPBF IRS2153DSPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت NRND فعال
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
ٹوپولوجی Self-Oscillating (RC-timed) —
آؤٹ پٹس کی تعداد 2 (High-Side, Low-Side) 2 (HO, LO)
Offset Voltage (High-Side) 600 V (max) —
Output Current (Source, typ) 0.18 A —
Output Current (Sink, typ) 0.26 A —
Internal Oscillator Frequency [DATA_NEEDED: oscillator frequency range] —
Dead Time (typ) 0.5 us —
Half-Bridge Driver Propagation (typ) 1.1 us —
Bootstrap FET Integrated —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range] 10 V to 20 V
Supply Current (VCC, typ) 0.5 mA —
Shutdown Input Yes (programmable) —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -40C to +125C —
پیکیج 8-Pin PDIP (through-hole) 8-SOIC (SOIC-8)
MSL لیول MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note) —
Qualification Level Industrial —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free suffix) —
فنکشن — Half-bridge gate driver with RC input oscillator
Configuration — High-side + low-side driver, half-bridge
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 600 V
VBS High-side Supply Voltage — VCC + 0.3 V (typical bootstrap)
Gate Drive Source Current (IO+) — 130 mA typical
Gate Drive Sink Current (IO-) — 270 mA typical
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns)
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns)
Internal Deadtime — ~1.2 us
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40 C to +125 C
Input Type — RC-input oscillator (no external PWM required)
Logic Polarity — Inverting / Non-inverting per channel
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں