IRS2153DPBF vs IRS2153DSPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS2153DPBF מאת Infineon ו IRS2153DSPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRS2153DPBF IRS2153DSPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים NRND פעיל
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
טופולוגיה Self-Oscillating (RC-timed) —
מספר יציאות 2 (High-Side, Low-Side) 2 (HO, LO)
Offset Voltage (High-Side) 600 V (max) —
Output Current (Source, typ) 0.18 A —
Output Current (Sink, typ) 0.26 A —
Internal Oscillator Frequency [DATA_NEEDED: oscillator frequency range] —
Dead Time (typ) 0.5 us —
Half-Bridge Driver Propagation (typ) 1.1 us —
Bootstrap FET Integrated —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range] 10 V to 20 V
Supply Current (VCC, typ) 0.5 mA —
Shutdown Input Yes (programmable) —
טמפרטורת צומת פעולה -40C to +125C —
מארז 8-Pin PDIP (through-hole) 8-SOIC (SOIC-8)
רמת MSL MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note) —
Qualification Level Industrial —
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free suffix) —
פונקציה — Half-bridge gate driver with RC input oscillator
Configuration — High-side + low-side driver, half-bridge
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 600 V
VBS High-side Supply Voltage — VCC + 0.3 V (typical bootstrap)
Gate Drive Source Current (IO+) — 130 mA typical
Gate Drive Sink Current (IO-) — 270 mA typical
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns)
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns)
Internal Deadtime — ~1.2 us
טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C
Input Type — RC-input oscillator (no external PWM required)
Logic Polarity — Inverting / Non-inverting per channel
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
סוג הרכבה — Surface Mount

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר