IRS2153DPBF vs IRS2153DSPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRS2153DPBF توسط Infineon و IRS2153DSPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRS2153DPBF IRS2153DSPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر NRND فعال
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
توپولوژی Self-Oscillating (RC-timed) —
تعداد خروجی‌ها 2 (High-Side, Low-Side) 2 (HO, LO)
Offset Voltage (High-Side) 600 V (max) —
Output Current (Source, typ) 0.18 A —
Output Current (Sink, typ) 0.26 A —
Internal Oscillator Frequency [DATA_NEEDED: oscillator frequency range] —
Dead Time (typ) 0.5 us —
Half-Bridge Driver Propagation (typ) 1.1 us —
Bootstrap FET Integrated —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range] 10 V to 20 V
Supply Current (VCC, typ) 0.5 mA —
Shutdown Input Yes (programmable) —
دمای اتصال کاری -40C to +125C —
بسته‌بندی 8-Pin PDIP (through-hole) 8-SOIC (SOIC-8)
سطح MSL MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note) —
Qualification Level Industrial —
وضعیت RoHS Compliant (Pb-free suffix) —
عملکرد — Half-bridge gate driver with RC input oscillator
Configuration — High-side + low-side driver, half-bridge
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 600 V
VBS High-side Supply Voltage — VCC + 0.3 V (typical bootstrap)
Gate Drive Source Current (IO+) — 130 mA typical
Gate Drive Sink Current (IO-) — 270 mA typical
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns)
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns)
Internal Deadtime — ~1.2 us
دمای کاری — -40 C to +125 C
Input Type — RC-input oscillator (no external PWM required)
Logic Polarity — Inverting / Non-inverting per channel
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
نوع نصب — Surface Mount

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت