IRS21814MTRPBF vs IR2110SPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS21814MTRPBF بواسطة Infineon و IR2110SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS21814MTRPBF IR2110SPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration High and Low Side, Independent —
Driver Channels 2 (half-bridge) —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (bootstrap) —
Offset Voltage (High-Side) Up to +600 V —
Peak Source Current (typ.) 1.9 A —
Peak Sink Current (typ.) 2.3 A —
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V CMOS/LSTTL 3.3 V CMOS / LSTTL
Propagation Delay (typ.) 180 ns —
Delay Matching (HS to LS) [DATA_NEEDED: HS-LS delay matching spec] —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
dV/dt Immunity Yes (negative-transient tolerant) —
العلبة 16-MLPQ (4x4 mm) with Exposed Pad 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
حالة RoHS Compliant —
الوظيفة — Half-bridge gate driver
البنية الطوبولوجية — High-side and low-side referenced output channels
Number of Channels — 2 (1 high-side, 1 low-side)
Logic Type — Non-inverting
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 500 V
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) — 10 V to 20 V
Peak Output Current (source/sink) — 2.0 A / 2.0 A
Typical Propagation Delay (ton/toff) — 94 ns / 94 ns
Rise/Fall Time (typical) — 25 ns / 17 ns
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes, both Vcc and VCC
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر