IRS21814MTRPBF vs IR2110SPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS21814MTRPBF מאת Infineon ו IR2110SPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRS21814MTRPBF IR2110SPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration High and Low Side, Independent —
Driver Channels 2 (half-bridge) —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (bootstrap) —
Offset Voltage (High-Side) Up to +600 V —
Peak Source Current (typ.) 1.9 A —
Peak Sink Current (typ.) 2.3 A —
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V CMOS/LSTTL 3.3 V CMOS / LSTTL
Propagation Delay (typ.) 180 ns —
Delay Matching (HS to LS) [DATA_NEEDED: HS-LS delay matching spec] —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
dV/dt Immunity Yes (negative-transient tolerant) —
מארז 16-MLPQ (4x4 mm) with Exposed Pad 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
סטטוס RoHS Compliant —
פונקציה — Half-bridge gate driver
טופולוגיה — High-side and low-side referenced output channels
Number of Channels — 2 (1 high-side, 1 low-side)
Logic Type — Non-inverting
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 500 V
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) — 10 V to 20 V
Peak Output Current (source/sink) — 2.0 A / 2.0 A
Typical Propagation Delay (ton/toff) — 94 ns / 94 ns
Rise/Fall Time (typical) — 25 ns / 17 ns
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes, both Vcc and VCC
טווח טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר