IS43TR16256AL-125KBL vs H5TC4G63CFR-H9A مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IS43TR16256AL-125KBL بواسطة ISSI, Integrated Silicon Solution Inc و H5TC4G63CFR-H9A بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | IS43TR16256AL-125KBL | H5TC4G63CFR-H9A |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4Gbit (256M x 16) | — |
| الواجهة | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| جهد التغذية | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | — |
| العلبة | 96-TWBGA (9x13mm) | 96-ball TFBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C ~ 95°C | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| معدل البيانات | 1600 Mbps | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Memory Density | — | 4Gb (4294967296 bit) |
| التنظيم | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Differential Clock Inputs | — | Yes (CK, CK) |
| Differential Data Strobe | — | Yes (DQS, DQS) |
| On-Chip DLL | — | Yes |
| DM (Data Mask) | — | Yes |