ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs ISC060N06NM6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC015N06NM5LF2ATMA1 بواسطة Infineon و ISC060N06NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC015N06NM5LF2ATMA1 ISC060N06NM6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) OptiMOS 6 (60V generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A 15.2 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 275 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 217 W 50 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.55 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) 1.3 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Gate-Source Voltage Rating ±20 V —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 1.3 nC —
Input Capacitance (Ciss) 6.9 nF —
Output Capacitance (Coss) 1.3 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 55 pF —
Total Gate Charge (Qg) 90 nC [DATA_NEEDED: Qg typ/nC]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) PG-TDSON-8 (TDSON-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 6
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 62 A
Configuration — Single N-Channel
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C (junction, per OptiMOS 6 family)
Gate Drive — Standard gate drive (10 V VGS recommended for full RDS(on))
حالة RoHS — Compliant
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر