ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs ISC060N06NM6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC015N06NM5LF2ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC060N06NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon

ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon

ISC015N06NM5LF2ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISC015N06NM5LF2ATMA1 ISC060N06NM6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) OptiMOS 6 (60V generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A 15.2 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 275 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 217 W 50 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.55 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) 1.3 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Gate-Source Voltage Rating ±20 V —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 1.3 nC —
Input Capacitance (Ciss) 6.9 nF —
Output Capacitance (Coss) 1.3 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 55 pF —
Total Gate Charge (Qg) 90 nC [DATA_NEEDED: Qg typ/nC]
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) PG-TDSON-8 (TDSON-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 6
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 62 A
Configuration — Single N-Channel
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C (junction, per OptiMOS 6 family)
Gate Drive — Standard gate drive (10 V VGS recommended for full RDS(on))
RoHS اسٹیٹس — Compliant
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL level]
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں