ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs ISC060N06NM6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC015N06NM5LF2ATMA1 bằng Infineon và ISC060N06NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
ISC060N06NM6ATMA1 - 60V 62A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC060N06NM6ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC015N06NM5LF2ATMA1 | ISC060N06NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Technology | OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) | OptiMOS 6 (60V generation) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | 15.2 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 275 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 217 W | 50 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.55 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) | 1.3 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Gate-Source Voltage Rating | ±20 V | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 1.3 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 6.9 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 1.3 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 55 pF | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 90 nC | [DATA_NEEDED: Qg typ/nC] |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 °C to +175 °C | — |
| Hộp | PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) | PG-TDSON-8 (TDSON-8) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 62 A |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +175C (junction, per OptiMOS 6 family) |
| Gate Drive | — | Standard gate drive (10 V VGS recommended for full RDS(on)) |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Cấp MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] |