ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs ISC060N06NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC015N06NM5LF2ATMA1 tarafından Infineon ve ISC060N06NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC015N06NM5LF2ATMA1 ISC060N06NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) OptiMOS 6 (60V generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A 15.2 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 275 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 217 W 50 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.55 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) 1.3 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Gate-Source Voltage Rating ±20 V —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 1.3 nC —
Input Capacitance (Ciss) 6.9 nF —
Output Capacitance (Coss) 1.3 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 55 pF —
Total Gate Charge (Qg) 90 nC [DATA_NEEDED: Qg typ/nC]
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) PG-TDSON-8 (TDSON-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 6
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 62 A
Configuration — Single N-Channel
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (junction, per OptiMOS 6 family)
Gate Drive — Standard gate drive (10 V VGS recommended for full RDS(on))
RoHS Durumu — Compliant
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL level]
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin