ISC028N03LF2SATMA1 vs ISC008N06LM6ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC028N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon و ISC008N06LM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC028N03LF2SATMA1 | ISC008N06LM6ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 30V | OptiMOS 6 |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 128 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 2.8 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.35 V | — |
| Power Dissipation at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC | 83 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +175 C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| RoHS / Lead-Free | Yes (RoHS compliant) | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 44 A |
| Pulsed Drain Current (ID, pulse) at Tc | — | 378 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 221 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic Level (1.0 V to 2.4 V typical) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +175 C (Tj) |
| Package Type | — | PG-TDSON-8 (Surface Mount) |
| نمط التركيب | — | Surface Mount, Tape & Reel |
| RoHS / Lead-Free Status | — | RoHS Compliant, Lead-Free |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |