ISC028N03LF2SATMA1 vs ISC008N06LM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC028N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISC008N06LM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC028N03LF2SATMA1 ISC008N06LM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 30V OptiMOS 6
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 128 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V —
Power Dissipation at TA 3 W —
Power Dissipation at TC 83 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad —
Montaj Türü Surface Mount —
RoHS / Lead-Free Yes (RoHS compliant) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 44 A
Pulsed Drain Current (ID, pulse) at Tc — 378 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 221 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
RDS(on) max @ VGS=10 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic Level (1.0 V to 2.4 V typical)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C (Tj)
Package Type — PG-TDSON-8 (Surface Mount)
Montaj Stili — Surface Mount, Tape & Reel
RoHS / Lead-Free Status — RoHS Compliant, Lead-Free
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin