ISC028N03LF2SATMA1 vs ISC008N06LM6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC028N03LF2SATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC008N06LM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC028N03LF2SATMA1 | ISC008N06LM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 30V | OptiMOS 6 |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 128 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 2.8 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.35 V | — |
| Power Dissipation at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC | 83 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +175 C | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| RoHS / Lead-Free | Yes (RoHS compliant) | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 44 A |
| Pulsed Drain Current (ID, pulse) at Tc | — | 378 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 221 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic Level (1.0 V to 2.4 V typical) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 C to +175 C (Tj) |
| Package Type | — | PG-TDSON-8 (Surface Mount) |
| ماؤنٹنگ اسٹائل | — | Surface Mount, Tape & Reel |
| RoHS / Lead-Free Status | — | RoHS Compliant, Lead-Free |
| ہیلوجن فری | — | Yes |