ISC045N03L5SATMA1 vs IAUCN08S7L013ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC045N03L5SATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN08S7L013ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC045N03L5SATMA1 | IAUCN08S7L013ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | ISC045N03L5SATMA1 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 / Trench | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 63 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V @ ID=250 µA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 13 nC @ VGS=10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 870 pF @ VDS=15 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 30 W | — |
| العلبة | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) | PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +150 °C | -55 °C to +175 °C |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Maximum On-Resistance (RDS(on) max) | — | 1.26 mΩ |
| تيار التصريف المستمر (TC=25°C) | — | [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] |
| Continuous Drain Current (TJ) | — | 293 A |
| Power Dissipation (TC) | — | 219 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Qualification | — | AEC-Q101 (automotive) |
| Packaging | — | Tape & Reel (suffix ATMA1) |