ISC045N03L5SATMA1 vs IAUCN08S7L013ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC045N03L5SATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7L013ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC045N03L5SATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC045N03L5SATMA1 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 / Trench —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 63 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V @ ID=250 µA —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF @ VDS=15 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Paket SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C -55 °C to +175 °C
RoHS Durumu Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) — 1.26 mΩ
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) — [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C]
Continuous Drain Current (TJ) — 293 A
Power Dissipation (TC) — 219 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Qualification — AEC-Q101 (automotive)
Packaging — Tape & Reel (suffix ATMA1)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin