ISC080N10NM6ATMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC080N10NM6ATMA1 بواسطة Infineon و BSC117N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC080N10NM6ATMA1 | BSC117N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 6 100V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 75 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 100 W | — |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A | 8.05 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V at 36 µA | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| العلبة | PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) | 1 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Qualification | Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) | — |
| Part Number | — | BSC117N08NS5ATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 5 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 49 A (Tc) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 11.7 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 50 W |
| عدد الأطراف | — | 8 |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |