ISC080N10NM6ATMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC080N10NM6ATMA1 tarafından Infineon ve BSC117N08NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC080N10NM6ATMA1 | BSC117N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 6 100V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 75 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 100 W | — |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A | 8.05 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V at 36 µA | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Paket | PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) | 1 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Qualification | Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) | — |
| Part Number | — | BSC117N08NS5ATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 5 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 49 A (Tc) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 11.7 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 50 W |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |