ISC080N10NM6ATMA1 vs IAUC120N06S5L011ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC080N10NM6ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC120N06S5L011ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC080N10NM6ATMA1 IAUC120N06S5L011ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 6 100V OptiMOS 5 60 V (S5 generation)
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A 8.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V at 36 µA —
العلبة PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) 1 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes —
Qualification Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) — 310 A (Tj), 120 A marketing
R_DS(on) max — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V]
Power Dissipation (P_D) — 188 W at T_C = 25 °C
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Energy Rated — Yes (EAS)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر