ISC080N10NM6ATMA1 vs IAUC120N06S5L011ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC080N10NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N06S5L011ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC080N10NM6ATMA1 IAUC120N06S5L011ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 6 100V OptiMOS 5 60 V (S5 generation)
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A 8.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V at 36 µA —
Paket PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Klorürsüz Yes —
Qualification Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) — 310 A (Tj), 120 A marketing
R_DS(on) max — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V]
Power Dissipation (P_D) — 188 W at T_C = 25 °C
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Energy Rated — Yes (EAS)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin