ISC080N10NM6ATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC080N10NM6ATMA1 بواسطة Infineon و ISC015N04NM5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC080N10NM6ATMA1 ISC015N04NM5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 6 100V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A 8.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V at 36 µA 3.4 V (typ)
العلبة PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5)
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) 1 (per Infineon SuperSO8 family)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes —
Qualification Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) —
Series — OptiMOS 5 40V Normal Level
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
R_DS(on) max — 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 206 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 115 W
العلبة / الحالة — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
عدد الأطراف — 8
Drive Level — Normal Level (VGS(th) ~3.4 V)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر