ISC080N10NM6ATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC080N10NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC015N04NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC080N10NM6ATMA1 ISC015N04NM5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 6 100V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A 8.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V at 36 µA 3.4 V (typ)
Paket PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5)
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) 1 (per Infineon SuperSO8 family)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Klorürsüz Yes —
Qualification Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) —
Series — OptiMOS 5 40V Normal Level
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
R_DS(on) max — 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 206 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 115 W
Paket / Kas — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Pin Sayısı — 8
Drive Level — Normal Level (VGS(th) ~3.4 V)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin