ISZ072N06NM6ATMA1 vs ISZ023N06LM6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISZ072N06NM6ATMA1 بواسطة Infineon و ISZ023N06LM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ023N06LM6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 57 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 12.7 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typ) —
تبديد القدرة (TC=25°C) 50 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
العلبة PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) PG-TSDSON-8-34 (Surface Mount)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C ( Tj max 175C ) —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 1
Series — OptiMOS 6 60 V
Part Number — ISZ023N06LM6
Orderable Part Number — ISZ023N06LM6ATMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 24 A
Pulsed Drain Current (ID, Tc) — 149 A
Power Dissipation (Tc) — 100 W
درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C
Lead-Free — Yes
Configuration — Single

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر