ISZ072N06NM6ATMA1 vs ISZ023N06LM6ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISZ072N06NM6ATMA1 द्वारा Infineon और ISZ023N06LM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ सक्रिय
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ISZ023N06LM6ATMA1 ISZ023N06LM6ATMA1 - 60V 149A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISZ023N06LM6ATMA1 - 60V 149A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISZ023N06LM6ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ023N06LM6ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 57 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 12.7 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typ) —
पावर डिसिपेशन (TC=25°C) 50 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
पैकेज PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) PG-TSDSON-8-34 (Surface Mount)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +175C ( Tj max 175C ) —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर 1 1
Series — OptiMOS 6 60 V
Part Number — ISZ023N06LM6
Orderable Part Number — ISZ023N06LM6ATMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 24 A
Pulsed Drain Current (ID, Tc) — 149 A
Power Dissipation (Tc) — 100 W
ऑपरेटिंग तापमान — -55C to +175C
Lead-Free — Yes
Configuration — Single

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